德州仪器推出业界小、高效率的降压转换器

  25A，14V 的 TPS56221集成 NexFET MOSFET 且简单易用，与 SWIFT 开关转换器同步，可在12V 输入至1.3V 输出的高负载条件下，同时实现超过200W/in3 的功率密度以及超过90%的效率，从而可在500kHz 开关频率下提供高达25A 的持续输出电流。新 TPS56121 15A、14V 同步开关转换器与其它同类产品相比，不但可在5V 输入至1.2V 输出下将效率提高3%，而且还可将开关速度提高2倍。

 TI 电源管理业务部高级副总裁 Sami Kiriaki 指出：“板装电源通常有很多电路，因而需要更高的功率密度与电源效率，尤其是那些在更强电流下工作的系统。这两款新产品既可将我们的 SWIFT 系列产品延伸至更强电流应用的领域，又可帮助客户在功率密度、效率以及热管理方面有所突破，从而为终端设备实现更低的功耗和更高的可靠性。”

  TPS56221与 TPS56121采用热增强型5毫米 x 6毫米 QFN 封装，尺寸比其它分立式解决方案小 30%，仅为315 mm2。这两款器件是首批集成 TI NexFET 技术的产品，可提高热性能、保护功能、效率以及可靠性。它们不但提供300kHz、500kHz 以及1MHz 三种可选频率以实现更高的设计灵活性，而且还支持4.5V～14V 的宽泛输入电压。

  TPS56221与 TPS56121的主要特性与优势：强电流与高效率：4.5V-14V 输入电压时，在25A 与15A 峰值负载电流下，效率可超过90%;小尺寸与更高功率密度：总体解决方案尺寸仅为315 mm2，可将封装大限度地缩小，同时实现超过200W/in3 的功率密度;

  NexFET 功率块支持多相位50A、100A 及更强电流

  除 SWIFT 转换器的强电流性能之外，TI 去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的5毫米 x 6毫米堆栈型 MOSFET 采用接地引线框架 SON 封装，支持高达1.5MHz 的频率，可降低热阻抗并简化布局。CSD86350Q5D在25A 电流下效率超过90%，且还能与 TI 的 TPS40140堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计;其电流可扩展至50A、100A 以及更高。

  广泛的降压转换器产品系列

  TI 可提供业界广泛的降压转换器，其中包括集成FET 的 DC/DC 转换器、支持外部 MOSFET 的 TPS40K™ DC/DC 控制器以及集成型电源解决方案，如集成电感器的新 TPS84620等。